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1214-110M

1214-110M

Nur als Referenz

Teilenummer 1214-110M
PNEDA Teilenummer 1214-110M
Beschreibung RF TRANS NPN 75V 1.4GHZ 55KT
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.470
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1214-110M Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer1214-110M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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1214-110M Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)75V
Frequenz - Übergang1.2GHz ~ 1.4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.4dB
Leistung - max270W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55KT
Lieferantengerätepaket55KT

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

18.3dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

60099H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

DSC9G0200L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

BF776E6327FTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

46GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

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