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BFG325/XR,215

BFG325/XR,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG325/XR,215
PNEDA Teilenummer BFG325-XR-215
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.200
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BFG325/XR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG325/XR,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG325/XR, BFG325/XR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 190,33 KB)
PDFBFG325/XR Datenblatt Cover
BFG325/XR Datenblatt Seite 2 BFG325/XR Datenblatt Seite 3 BFG325/XR Datenblatt Seite 4 BFG325/XR Datenblatt Seite 5 BFG325/XR Datenblatt Seite 6 BFG325/XR Datenblatt Seite 7 BFG325/XR Datenblatt Seite 8 BFG325/XR Datenblatt Seite 9 BFG325/XR Datenblatt Seite 10 BFG325/XR Datenblatt Seite 11

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BFG325/XR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 2GHz
Gewinn18.3dB
Leistung - max210mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 15mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

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12V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

8dB ~ 17dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

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Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

40GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10dB ~ 15dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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