BFG325/XR,215
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| Teilenummer | BFG325/XR,215 |
| PNEDA Teilenummer | BFG325-XR-215 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.200 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFG325/XR Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG325/XR,215 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG325/XR Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 14GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 2GHz |
| Gewinn | 18.3dB |
| Leistung - max | 210mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 15mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-143R |
| Lieferantengerätepaket | SOT-143R |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 40GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 12.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
