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MRF4427R1

MRF4427R1

Nur als Referenz

Teilenummer MRF4427R1
PNEDA Teilenummer MRF4427R1
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 8DBGA
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 5.778
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF4427R1 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF4427R1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF4427R1 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn20dB
Leistung - max1.5W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)400mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-dBGA (2x1.5)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz

Gewinn

8.5dB ~ 13dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

210mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

42GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

11dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.8V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

10dB ~ 14.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

MRFC545

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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