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BFR183E6327HTSA1

BFR183E6327HTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFR183E6327HTSA1
PNEDA Teilenummer BFR183E6327HTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 98.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR183E6327HTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR183E6327HTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFR183E6327HTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinn17.5dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 15mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3

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Serie

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

300MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.8dB ~ 4dB @ 5MHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

4.5GHz ~ 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

10dB @ 1GHz

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

18GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

9.5dB ~ 11.5dB

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

14dB ~ 16dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

BFR92PE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16dB

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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