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START499ETR

START499ETR

Nur als Referenz

Teilenummer START499ETR
PNEDA Teilenummer START499ETR
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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START499ETR Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTART499ETR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
START499ETR, START499ETR Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 238,73 KB)
PDFSTART499ETR Datenblatt Cover
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START499ETR Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang1.9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 1.8GHz
Gewinn15dB
Leistung - max600mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 160mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)600mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketSOT-343

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

2500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

PG-SC-75

BLT70,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

2.1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 100mA, 4.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

BFS17SE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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