BLT70,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BLT70,115 |
| PNEDA Teilenummer | BLT70-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 8V 900MHZ SOT223 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.190 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BLT70 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BLT70,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BLT70 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 8V |
| Frequenz - Übergang | 900MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 2.1W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 100mA, 4.8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 250mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-223 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 1mA, 2.7V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 8mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 21dB ~ 10dB Leistung - max 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 1GHz Gewinn 12dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
