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MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G

Nur als Referenz

Teilenummer MMBTH10LT1G
PNEDA Teilenummer MMBTH10LT1G
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 314.496
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MMBTH10LT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMMBTH10LT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MMBTH10LT1G, MMBTH10LT1G Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 91,3 KB)
PDFMMBTH10-4LT1 Datenblatt Cover
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MMBTH10LT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max225mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

47GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

9dB ~ 31dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

KSC1674RBU

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

AT-42000-GP4

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

10.5dB ~ 14dB

Leistung - max

600mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Chip

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz

Gewinn

13.5dB ~ 23.5dB

Leistung - max

136mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 1mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

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