BFP740FESDH6327XTSA1
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFP740FESDH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP740FESDH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 48.828 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 1 - Mai 6 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
BFP740FESDH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | BFP740FESDH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- BFP740FESDH6327XTSA1 Datasheet
- where to find BFP740FESDH6327XTSA1
- Infineon Technologies
- Infineon Technologies BFP740FESDH6327XTSA1
- BFP740FESDH6327XTSA1 PDF Datasheet
- BFP740FESDH6327XTSA1 Stock
- BFP740FESDH6327XTSA1 Pinout
- Datasheet BFP740FESDH6327XTSA1
- BFP740FESDH6327XTSA1 Supplier
- Infineon Technologies Distributor
- BFP740FESDH6327XTSA1 Price
- BFP740FESDH6327XTSA1 Distributor
BFP740FESDH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 47GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Gewinn | 9dB ~ 31dB |
| Leistung - max | 160mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 45mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V, 10V Frequenz - Übergang 22GHz, 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz Gewinn 14.5dB Leistung - max 200mW, 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 130 @ 20mA, 3V / 100 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA, 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFDFN Lieferantengerätepaket TSLP-6-1 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 27dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5dB @ 200MHz Gewinn 15dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9.2V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket 3-PowerMiniMold |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 700MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB @ 200MHz Gewinn - Leistung - max 625mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
