BFP740FESDH6327XTSA1
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| Teilenummer | BFP740FESDH6327XTSA1 |
| PNEDA Teilenummer | BFP740FESDH6327XTSA1 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.7V 47GHZ 4TSFP |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 48.828 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFP740FESDH6327XTSA1 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFP740FESDH6327XTSA1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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BFP740FESDH6327XTSA1 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.7V |
| Frequenz - Übergang | 47GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz |
| Gewinn | 9dB ~ 31dB |
| Leistung - max | 160mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 25mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 45mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 4-TSFP |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.85dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 27dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 18.3dB Leistung - max 210mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-143R Lieferantengerätepaket SOT-143R |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket SC-75 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 70mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9.2V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 1.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 600mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket 3-PowerMiniMold |
