MMBTH10-4LT1 Datenblatt
![MMBTH10-4LT1 Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/112/mmbth10-4lt1-0001.webp)
![MMBTH10-4LT1 Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/112/mmbth10-4lt1-0002.webp)
![MMBTH10-4LT1 Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/112/mmbth10-4lt1-0003.webp)
![MMBTH10-4LT1 Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/112/mmbth10-4lt1-0004.webp)
![MMBTH10-4LT1 Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/112/mmbth10-4lt1-0005.webp)
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) |