MMBTH10LT3G
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| Teilenummer | MMBTH10LT3G |
| PNEDA Teilenummer | MMBTH10LT3G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 74.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBTH10LT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBTH10LT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MMBTH10LT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 650MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 5dB @ 100MHz Gewinn 18dB ~ 22dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Short Body Lieferantengerätepaket TO-92S |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 8.7dB Leistung - max 575W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 250°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M214 Lieferantengerätepaket M214 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB @ 2GHz Gewinn 7.5dB Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70-3 |
