MMBTH10LT1
Nur als Referenz
| Teilenummer | MMBTH10LT1 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MMBTH10LT1 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | ON Semiconductor | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 40.398 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MMBTH10LT1 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBTH10LT1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MMBTH10LT1 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 25V |
| Frequenz - Übergang | 650MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 14dB ~ 8.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 210mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA Lieferantengerätepaket PG-SOT223-4 |
