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HFA3134IH96

HFA3134IH96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3134IH96
PNEDA Teilenummer HFA3134IH96
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 6.048
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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HFA3134IH96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3134IH96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3134IH96, HFA3134IH96 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 364,25 KB)
PDFHFA3135IH96 Datenblatt Cover
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HFA3134IH96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang8.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.4dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce48 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB ~ 17dB

Leistung - max

330W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

23 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

45 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

1.9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.4dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 40mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

120mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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