HFA3135IH96 Datenblatt
Renesas Electronics America Inc. Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5.2dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |
Renesas Electronics America Inc. Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.4dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 48 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |
Renesas Electronics America Inc. Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 2 PNP (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5.2dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |
Renesas Electronics America Inc. Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.4dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 48 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |