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HFA3135IHZ96

HFA3135IHZ96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3135IHZ96
PNEDA Teilenummer HFA3135IHZ96
Beschreibung RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 8.550
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HFA3135IHZ96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3135IHZ96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3135IHZ96, HFA3135IHZ96 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 364,25 KB)
PDFHFA3135IH96 Datenblatt Cover
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HFA3135IHZ96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)5.2dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

70GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz

Gewinn

10dB ~ 24dB

Leistung - max

136mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-DFP

TPR175

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9dB

Leistung - max

290W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CX

Lieferantengerätepaket

55CX

BFP182WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

BFU550XAR

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75db @ 900MHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount, Gull Wing

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

BFU520WF

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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