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HFA3134IHZ96

HFA3134IHZ96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3134IHZ96
PNEDA Teilenummer HFA3134IHZ96
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 9V 8.5GHZ SOT23-6
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 3.726
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HFA3134IHZ96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3134IHZ96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3134IHZ96, HFA3134IHZ96 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 364,25 KB)
PDFHFA3135IH96 Datenblatt Cover
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HFA3134IHZ96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang8.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.4dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce48 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6

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M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

332A-03, Style 2

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

12dB ~ 18dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.8dB

Leistung - max

75W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.5A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M214

DSC9G0200L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

MS1701

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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