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HFA3135IH96

HFA3135IH96

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3135IH96
PNEDA Teilenummer HFA3135IH96
Beschreibung RF TRANS 2 PNP 9V 7GHZ SOT23-6
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 2.970
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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HFA3135IH96 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3135IH96
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3135IH96, HFA3135IH96 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 364,25 KB)
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HFA3135IH96 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp2 PNP (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)5.2dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)26mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6

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CEL

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Hersteller

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-445C

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Hersteller

CEL

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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Paket / Fall

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