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SD1728

SD1728

Nur als Referenz

Teilenummer SD1728
PNEDA Teilenummer SD1728
Beschreibung RF TRANS NPN 55V M177
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 3.456
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD1728 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1728
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1728, SD1728 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 68,59 KB)
PDFSD1728 Datenblatt Cover
SD1728 Datenblatt Seite 2 SD1728 Datenblatt Seite 3 SD1728 Datenblatt Seite 4 SD1728 Datenblatt Seite 5 SD1728 Datenblatt Seite 6 SD1728 Datenblatt Seite 7 SD1728 Datenblatt Seite 8 SD1728 Datenblatt Seite 9

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SD1728 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn15dB ~ 17dB
Leistung - max330W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce23 @ 10A, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallM177
LieferantengerätepaketM177

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-623F

Lieferantengerätepaket

M03

2SC4094-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17dB ~ 23dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

BFS 481 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-623F

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