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2SA1790GCL

2SA1790GCL

Nur als Referenz

Teilenummer 2SA1790GCL
PNEDA Teilenummer 2SA1790GCL
Beschreibung RF TRANS PNP 20V 300MHZ SSMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 29.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 25 - Nov 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SA1790GCL Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SA1790GCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SA1790GCL, 2SA1790GCL Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 219,18 KB)
PDF2SA1790GCL Datenblatt Cover
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2SA1790GCL Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang300MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.8dB ~ 4dB @ 5MHz
Gewinn-
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 1mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-89, SOT-490
LieferantengerätepaketSSMini3-F3

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

355E-01, Style 1

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

135mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

2SC5088-O(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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