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2SA1790GCL

2SA1790GCL

Nur als Referenz

Teilenummer 2SA1790GCL
PNEDA Teilenummer 2SA1790GCL
Beschreibung RF TRANS PNP 20V 300MHZ SSMINI3
Hersteller Panasonic Electronic Components
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Auf Lager 29.868
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SA1790GCL Ressourcen

Marke Panasonic Electronic Components
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SA1790GCL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SA1790GCL, 2SA1790GCL Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 219,18 KB)
PDF2SA1790GCL Datenblatt Cover
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2SA1790GCL Technische Daten

HerstellerPanasonic Electronic Components
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang300MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.8dB ~ 4dB @ 5MHz
Gewinn-
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce110 @ 1mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-89, SOT-490
LieferantengerätepaketSSMini3-F3

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

42GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

27.5dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 25mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

MRF10350

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

31A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

355E-01

Lieferantengerätepaket

355E-01, Style 1

1000MA

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NSVF5501SKT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-623F

Lieferantengerätepaket

SOT-623/SSFP

HFA3046B

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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