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MRF314

MRF314

Nur als Referenz

Teilenummer MRF314
PNEDA Teilenummer MRF314
Beschreibung RF TRANS NPN 35V 211-07
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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MRF314 Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF314
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MRF314, MRF314 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 633,9 KB)
PDFMRF314 Datenblatt Cover
MRF314 Datenblatt Seite 2 MRF314 Datenblatt Seite 3 MRF314 Datenblatt Seite 4 MRF314 Datenblatt Seite 5 MRF314 Datenblatt Seite 6

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MRF314 Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)35V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn13.5dB
Leistung - max30W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 1.5A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)3.4A
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall211-07
Lieferantengerätepaket211-07, STYLE 1

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Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.4dB

Leistung - max

690W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-MCPH

PH3134-55L

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

55W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

HFA3046B

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4V

Frequenz - Übergang

26.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.55dB @ 2GHz

Gewinn

16.9dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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