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NE681M13-A

NE681M13-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE681M13-A
PNEDA Teilenummer NE681M13-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 7GHZ M13
Hersteller CEL
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Auf Lager 8.802
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NE681M13-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE681M13-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE681M13-A, NE681M13-A Datenblatt (Total Pages: 3, Größe: 148,7 KB)
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NE681M13-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max140mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-3
LieferantengerätepaketM13

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9.5V

Frequenz - Übergang

900MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

TSFP-3-1

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

135mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 25mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 1GHz

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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