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BLT81,115

BLT81,115

Nur als Referenz

Teilenummer BLT81,115
PNEDA Teilenummer BLT81-115
Beschreibung RF TRANS NPN 9.5V 900MHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 82.842
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BLT81 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLT81,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BLT81, BLT81 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 81,92 KB)
PDFBLT81 Datenblatt Cover
BLT81 Datenblatt Seite 2 BLT81 Datenblatt Seite 3 BLT81 Datenblatt Seite 4 BLT81 Datenblatt Seite 5 BLT81 Datenblatt Seite 6 BLT81 Datenblatt Seite 7 BLT81 Datenblatt Seite 8 BLT81 Datenblatt Seite 9 BLT81 Datenblatt Seite 10 BLT81 Datenblatt Seite 11

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BLT81 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9.5V
Frequenz - Übergang900MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 300mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.25V

Frequenz - Übergang

80GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-343

KSC2755OMTF

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 3mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

BFG135AE6327XT

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

9dB ~ 14dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

BFR181WH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

SD1536-01

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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