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55GN01CA-TB-E

55GN01CA-TB-E

Nur als Referenz

Teilenummer 55GN01CA-TB-E
PNEDA Teilenummer 55GN01CA-TB-E
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 4.5GHZ 3CP
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.690
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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55GN01CA-TB-E Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer55GN01CA-TB-E
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
55GN01CA-TB-E, 55GN01CA-TB-E Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 290,31 KB)
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55GN01CA-TB-E Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
Gewinn9.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket3-CP

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

20GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

735mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

24V

Frequenz - Übergang

2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.8dB ~ 8.5dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

0912-25

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 10dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55CT

Lieferantengerätepaket

55CT

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-92-3

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