55GN01CA-TB-E Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
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55GN01CA-TB-E
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB @ 1GHz Gewinn 9.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-CP |
