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BFS17,235

BFS17,235

Nur als Referenz

Teilenummer BFS17,235
PNEDA Teilenummer BFS17-235
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.978
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFS17 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFS17,235
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFS17, BFS17 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 162,03 KB)
PDFBFS17 Datenblatt Cover
BFS17 Datenblatt Seite 2 BFS17 Datenblatt Seite 3 BFS17 Datenblatt Seite 4 BFS17 Datenblatt Seite 5 BFS17 Datenblatt Seite 6 BFS17 Datenblatt Seite 7 BFS17 Datenblatt Seite 8

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BFS17 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)4.5dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 2mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)25mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

AT-41486-BLK

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 18dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

2SC3932GSL

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

20dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Gewinn

53dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

TPR400

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.27dB

Leistung - max

875W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 2.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

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