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BFP520H6327XTSA1

BFP520H6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP520H6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP520H6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 3.5V 45GHZ SOT343-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.140
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP520H6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP520H6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP520H6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)3.5V
Frequenz - Übergang45GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.95dB @ 1.8GHz
Gewinn22.5dB
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 20mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketPG-SOT343-4

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SSM

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB ~ 17dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

BFY193PZZZA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB ~ 2.9dB @ 2GHz

Gewinn

12.5dB ~ 13.5dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

MICRO-X1

Lieferantengerätepaket

MICRO-X1

HFA3096BZ

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

3 NPN + 2 PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V, 15V

Frequenz - Übergang

8GHz, 5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

MMBTH10-4LT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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