1002MP
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| Teilenummer | 1002MP |
| PNEDA Teilenummer | 1002MP |
| Beschreibung | RF TRANS 50V 1.215GHZ 55FW-1 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.848 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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1002MP Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 1002MP |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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1002MP Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Frequenz - Übergang | 960MHz ~ 1.215GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 8.24dB ~ 11dB |
| Leistung - max | 7W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 100mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 250mA |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55FW-1 |
| Lieferantengerätepaket | 55FW-1 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323-3 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.9dB @ 2GHz Gewinn 9.6dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-523 Lieferantengerätepaket SOT-523 |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz Gewinn 9dB ~ 18dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-86 Lieferantengerätepaket 86 Plastic |
