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KSP10BU

KSP10BU

Nur als Referenz

Teilenummer KSP10BU
PNEDA Teilenummer KSP10BU
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 49.524
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

KSP10BU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSP10BU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSP10BU, KSP10BU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 169,52 KB)
PDFKSP10TA Datenblatt Cover
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KSP10BU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang650MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 4mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

BFS 466L6 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V, 9V

Frequenz - Übergang

22GHz, 14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

12dB ~ 17dB

Leistung - max

200mW, 210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V / 90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA, 35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-6-1

BFP182RE7764HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

22dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143R-4

NE68518-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

BFR360FH6765XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

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