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2SC5086-Y,LF

2SC5086-Y,LF

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5086-Y,LF
PNEDA Teilenummer 2SC5086-Y-LF
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 7GHZ SSM
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 4.554
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC5086-Y Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5086-Y,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2SC5086-Y Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSSM

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 2GHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

225MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

220W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M218

Lieferantengerätepaket

M218

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Gewinn

4.5dBi

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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