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BFG310/XR,215

BFG310/XR,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFG310/XR,215
PNEDA Teilenummer BFG310-XR-215
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT143R
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.096
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG310/XR Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG310/XR,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG310/XR, BFG310/XR Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 186,27 KB)
PDFBFG310/XR Datenblatt Cover
BFG310/XR Datenblatt Seite 2 BFG310/XR Datenblatt Seite 3 BFG310/XR Datenblatt Seite 4 BFG310/XR Datenblatt Seite 5 BFG310/XR Datenblatt Seite 6 BFG310/XR Datenblatt Seite 7 BFG310/XR Datenblatt Seite 8 BFG310/XR Datenblatt Seite 9 BFG310/XR Datenblatt Seite 10 BFG310/XR Datenblatt Seite 11

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BFG310/XR Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 2GHz
Gewinn18dB
Leistung - max60mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Serie

-

Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.2dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

365mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 20V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

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