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2SC5751-A

2SC5751-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5751-A
PNEDA Teilenummer 2SC5751-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 15GHZ SOT343F
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.286
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC5751-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5751-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5751-A, 2SC5751-A Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 4.490,1 KB)
PDF2SC5751-A Datenblatt Cover
2SC5751-A Datenblatt Seite 2 2SC5751-A Datenblatt Seite 3 2SC5751-A Datenblatt Seite 4 2SC5751-A Datenblatt Seite 5 2SC5751-A Datenblatt Seite 6 2SC5751-A Datenblatt Seite 7 2SC5751-A Datenblatt Seite 8 2SC5751-A Datenblatt Seite 9 2SC5751-A Datenblatt Seite 10 2SC5751-A Datenblatt Seite 11

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2SC5751-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang15GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB @ 2GHz
Gewinn16dB
Leistung - max205mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 20mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 13dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 35mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

MS2200

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

400MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.7dB

Leistung - max

1167W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M102

Lieferantengerätepaket

M102

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

85 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (30 PKG)

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 25mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

-

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