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TAN350

TAN350

Nur als Referenz

Teilenummer TAN350
PNEDA Teilenummer TAN350
Beschreibung RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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TAN350 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTAN350
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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TAN350 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7dB ~ 7.5dB
Leistung - max1450W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40A
Betriebstemperatur230°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55ST
Lieferantengerätepaket55ST

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

MS1227

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

MRF8372G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

MSC1450A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

910W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

250°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M216

Lieferantengerätepaket

M216

NE97733-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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