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BFT93,215

BFT93,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFT93,215
PNEDA Teilenummer BFT93-215
Beschreibung RF TRANS PNP 12V 5GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 3.996
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFT93 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFT93,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFT93, BFT93 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 193,38 KB)
PDFBFT93 Datenblatt Cover
BFT93 Datenblatt Seite 2 BFT93 Datenblatt Seite 3 BFT93 Datenblatt Seite 4 BFT93 Datenblatt Seite 5 BFT93 Datenblatt Seite 6 BFT93 Datenblatt Seite 7 BFT93 Datenblatt Seite 8 BFT93 Datenblatt Seite 9 BFT93 Datenblatt Seite 10

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BFT93 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.4dB @ 500MHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz

Gewinn

24dB

Leistung - max

80mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3

64065

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NE66219-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

2SC5347AE-TD-E

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

8dB

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

42GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

11dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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