HFA3096B
Nur als Referenz
| Teilenummer | HFA3096B |
| PNEDA Teilenummer | HFA3096B |
| Beschreibung | RF TRANS NPN/PNP 5D.5GHZ 16SOIC |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.982 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HFA3096B Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HFA3096B |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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HFA3096B Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 3 NPN + 2 PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V, 15V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz, 5.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5.5V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.7dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz Gewinn 13.5dB ~ 23.5dB Leistung - max 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 90 @ 1mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 21GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz Gewinn 16dB Leistung - max 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 80mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket CMPAK-4 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 22dB Leistung - max 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 2.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 70mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB ~ 9.5dB Leistung - max 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
