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NE68830-T1-A

NE68830-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68830-T1-A
PNEDA Teilenummer NE68830-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.130
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68830-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68830-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68830-T1-A, NE68830-T1-A Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 347,59 KB)
PDFNE68833-T1-A Datenblatt Cover
NE68833-T1-A Datenblatt Seite 2 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 3 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 4 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 5 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 6 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 7 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 8 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 9 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 10 NE68833-T1-A Datenblatt Seite 11

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NE68830-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11dB ~ 16.5dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

SD1330-06H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SC4618TLN

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

300MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

82 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

EMT3

SD1727

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

233W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

18 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M164

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