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MCH4020-TL-H

MCH4020-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer MCH4020-TL-H
PNEDA Teilenummer MCH4020-TL-H
Beschreibung RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 45.612
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MCH4020-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH4020-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MCH4020-TL-H, MCH4020-TL-H Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 361,67 KB)
PDFMCH4020-TL-E Datenblatt Cover
MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 2 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 3 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 4 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 5 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 6 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 7 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 8 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 9 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 10 MCH4020-TL-E Datenblatt Seite 11

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MCH4020-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)8V
Frequenz - Übergang16GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn17.5dB @ 1GHz
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-MCPH

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

18.3dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)

MPSH10_D27Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 20mA, 5V

Gewinn

12dB

Leistung - max

900mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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