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BFR 360F E6765

BFR 360F E6765

Nur als Referenz

Teilenummer BFR 360F E6765
PNEDA Teilenummer BFR-360F-E6765
Beschreibung RF TRANS NPN 9V 14GHZ TSFP-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 2.556
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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BFR 360F E6765 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR 360F E6765
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR 360F E6765, BFR 360F E6765 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 547,98 KB)
PDFBFR 360F E6765 Datenblatt Cover
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BFR 360F E6765 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)9V
Frequenz - Übergang14GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1dB @ 1.8GHz
Gewinn15.5dB
Leistung - max210mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 15mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-723
LieferantengerätepaketTSFP-3-1

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

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16GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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MICROSS/On Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

9dB ~ 13.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

2.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 15V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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