BFG425W,115
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| Teilenummer | BFG425W,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFG425W-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 4.5V 25GHZ CMPAK-4 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.438 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFG425W Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG425W,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG425W Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4.5V |
| Frequenz - Übergang | 25GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.8dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 2GHz |
| Gewinn | 20dB |
| Leistung - max | 135mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 25mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | CMPAK-4 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 12dB Leistung - max 2.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 15V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 400mA Betriebstemperatur - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
