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2SC4915-O,LF

2SC4915-O,LF

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4915-O,LF
PNEDA Teilenummer 2SC4915-O-LF
Beschreibung RF TRANS NPN 30V 550MHZ SSM
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 7.128
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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2SC4915-O Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4915-O,LF
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2SC4915-O Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang550MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.3dB ~ 5dB @ 100MHz
Gewinn17dB ~ 23dB
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur125°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSSM

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

1214-300M

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

88W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

BF771E6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10dB ~ 15dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BFR340L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

BFP540ESDE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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