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MAX2602ESA+T

MAX2602ESA+T

Nur als Referenz

Teilenummer MAX2602ESA+T
PNEDA Teilenummer MAX2602ESA-T
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
Hersteller Maxim Integrated
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Auf Lager 8.046
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MAX2602ESA+T Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAX2602ESA+T
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MAX2602ESA+T, MAX2602ESA+T Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 88,04 KB)
PDFMAX2602ESA-T Datenblatt Cover
MAX2602ESA-T Datenblatt Seite 2 MAX2602ESA-T Datenblatt Seite 3 MAX2602ESA-T Datenblatt Seite 4 MAX2602ESA-T Datenblatt Seite 5 MAX2602ESA-T Datenblatt Seite 6

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MAX2602ESA+T Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 836MHz
Gewinn11.6dB
Leistung - max6.4W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 250mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.2A
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-SOIC-EP

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

MMBT5179

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

2SC5084YTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.1dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 15mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

MZ0912B50Y,114

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

150W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-443A

Lieferantengerätepaket

CDFM2

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MAX912ESE

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