MMBT5179
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| Teilenummer | MMBT5179 |
| PNEDA Teilenummer | MMBT5179 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 670.524 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBT5179 Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBT5179 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MMBT5179 Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 2GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 5dB @ 200MHz |
| Gewinn | 15dB |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 25 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 11dB ~ 13dB Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Power Macro Lieferantengerätepaket Power Macro |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB ~ 3.5dB @ 2GHz ~ 4GHz Gewinn 9.5dB ~ 13.5dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 35mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (85 Plastic) Lieferantengerätepaket 85 Plastic |
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 11.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 80 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket US6 |
