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BFT93W,115

BFT93W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFT93W,115
PNEDA Teilenummer BFT93W-115
Beschreibung RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.320
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFT93W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFT93W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFT93W, BFT93W Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.099,77 KB)
PDFBFT93W Datenblatt Cover
BFT93W Datenblatt Seite 2 BFT93W Datenblatt Seite 3 BFT93W Datenblatt Seite 4 BFT93W Datenblatt Seite 5 BFT93W Datenblatt Seite 6 BFT93W Datenblatt Seite 7 BFT93W Datenblatt Seite 8 BFT93W Datenblatt Seite 9 BFT93W Datenblatt Seite 10 BFT93W Datenblatt Seite 11

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BFT93W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

68201A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

18.3dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

SD1013

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

BFU590GX

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 80mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

Kürzlich verkauft

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

NTJD4152PT1G

NTJD4152PT1G

ON Semiconductor

MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SOT-363

MBR0530T1G

MBR0530T1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 30V 500MA SOD123

FDV303N

FDV303N

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 25V 680MA SOT-23

SMAJ40CA

SMAJ40CA

Bourns

TVS DIODE 40V 64.5V SMA

MX25L25735FMI-10G

MX25L25735FMI-10G

Macronix

IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOP

564R60GAT22

564R60GAT22

Vishay Cera-Mite

CAP CER 220PF 6KV X5F RADIAL

AD5293BRUZ-20

AD5293BRUZ-20

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TAJD686K016RNJ

TAJD686K016RNJ

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2920L300/15DR

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CAP ALUM 47UF 20% 25V SMD

XC7A100T-2FGG484I

XC7A100T-2FGG484I

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IC FPGA 285 I/O 484FBGA