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BFT93W,115

BFT93W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFT93W,115
PNEDA Teilenummer BFT93W-115
Beschreibung RF TRANS PNP 12V 4GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.320
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFT93W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFT93W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFT93W, BFT93W Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 1.099,77 KB)
PDFBFT93W Datenblatt Cover
BFT93W Datenblatt Seite 2 BFT93W Datenblatt Seite 3 BFT93W Datenblatt Seite 4 BFT93W Datenblatt Seite 5 BFT93W Datenblatt Seite 6 BFT93W Datenblatt Seite 7 BFT93W Datenblatt Seite 8 BFT93W Datenblatt Seite 9 BFT93W Datenblatt Seite 10 BFT93W Datenblatt Seite 11

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BFT93W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.4dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

24V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

15W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.25A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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