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SD1274

SD1274

Nur als Referenz

Teilenummer SD1274
PNEDA Teilenummer SD1274
Beschreibung RF TRANS NPN 16V M135
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 5.184
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SD1274 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1274
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1274, SD1274 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 763,41 KB)
PDFSD1274 Datenblatt Cover
SD1274 Datenblatt Seite 2 SD1274 Datenblatt Seite 3 SD1274 Datenblatt Seite 4 SD1274 Datenblatt Seite 5 SD1274 Datenblatt Seite 6 SD1274 Datenblatt Seite 7

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SD1274 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)16V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn10dB
Leistung - max70W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 250mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)8A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallM135
LieferantengerätepaketM135

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.7dB ~ 3dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

45 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

19.5dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

BF776E6327FTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

46GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

TPR1000

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

2900W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55KV

Lieferantengerätepaket

55KV

BFP840ESDH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.25V

Frequenz - Übergang

80GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.85dB @ 5.5GHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

75mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 10mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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