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HFA3127RZ

HFA3127RZ

Nur als Referenz

Teilenummer HFA3127RZ
PNEDA Teilenummer HFA3127RZ
Beschreibung RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN
Hersteller Renesas Electronics America Inc.
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Auf Lager 6.360
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

HFA3127RZ Ressourcen

Marke Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerHFA3127RZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
HFA3127RZ, HFA3127RZ Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 832,52 KB)
PDFHFA3128RZ96 Datenblatt Cover
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HFA3127RZ Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America Inc.
Serie-
Transistortyp5 NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)65mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall16-VFQFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket16-QFN (3x3)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.6V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-XFDFN

Lieferantengerätepaket

TSLP-3-10

MS2206A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SC5231A-9-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB ~ 8.5dB @ 1GHz

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Gull Wing

Lieferantengerätepaket

SMCP

SD1727

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

233W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

18 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M164

Lieferantengerätepaket

M164

MZ0912B100Y,114

Ampleon

Hersteller

Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

290W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-443A

Lieferantengerätepaket

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