HFA3127RZ
Nur als Referenz
| Teilenummer | HFA3127RZ |
| PNEDA Teilenummer | HFA3127RZ |
| Beschreibung | RF TRANS 5 NPN 12V 8GHZ 16QFN |
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.360 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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HFA3127RZ Ressourcen
| Marke | Renesas Electronics America Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | HFA3127RZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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HFA3127RZ Technische Daten
| Hersteller | Renesas Electronics America Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | 5 NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 1GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 65mA |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Lieferantengerätepaket | 16-QFN (3x3) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.2dB @ 1GHz Gewinn 18dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-MCPH |
