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SD1727

SD1727

Nur als Referenz

Teilenummer SD1727
PNEDA Teilenummer SD1727
Beschreibung RF TRANS NPN 55V M164
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.154
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD1727 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1727
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1727, SD1727 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 406,54 KB)
PDFSD1727 Datenblatt Cover
SD1727 Datenblatt Seite 2 SD1727 Datenblatt Seite 3 SD1727 Datenblatt Seite 4 SD1727 Datenblatt Seite 5 SD1727 Datenblatt Seite 6 SD1727 Datenblatt Seite 7 SD1727 Datenblatt Seite 8 SD1727 Datenblatt Seite 9

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SD1727 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn14dB
Leistung - max233W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce18 @ 1.4A, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallM164
LieferantengerätepaketM164

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

AT-64023

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

230 mil Be0

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

28V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 10dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Channel, DIN Rail Mount

Paket / Fall

55JV

Lieferantengerätepaket

55JV

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-3

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