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SD1727

SD1727

Nur als Referenz

Teilenummer SD1727
PNEDA Teilenummer SD1727
Beschreibung RF TRANS NPN 55V M164
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 8.154
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD1727 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1727
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1727, SD1727 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 406,54 KB)
PDFSD1727 Datenblatt Cover
SD1727 Datenblatt Seite 2 SD1727 Datenblatt Seite 3 SD1727 Datenblatt Seite 4 SD1727 Datenblatt Seite 5 SD1727 Datenblatt Seite 6 SD1727 Datenblatt Seite 7 SD1727 Datenblatt Seite 8 SD1727 Datenblatt Seite 9

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SD1727 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn14dB
Leistung - max233W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce18 @ 1.4A, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis, Stud Mount
Paket / FallM164
LieferantengerätepaketM164

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

2.2GHz ~ 2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LV

Lieferantengerätepaket

55LV

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

360mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 80mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

CMPAK-4

BFS17WE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB ~ 5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

32mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 20mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-3

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