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MSC1090M

MSC1090M

Nur als Referenz

Teilenummer MSC1090M
PNEDA Teilenummer MSC1090M
Beschreibung RF TRANS 65V 1.15GHZ M220
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.542
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 17 - Jan 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MSC1090M Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMSC1090M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MSC1090M Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
Transistortyp-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)65V
Frequenz - Übergang1.025GHz ~ 1.15GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.4dB
Leistung - max220W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 500mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)5.52A
Betriebstemperatur200°C
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM220
LieferantengerätepaketM220

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.16dB ~ 8.86dB

Leistung - max

75W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9.2V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1.9W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 100mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

3-PowerMiniMold

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

Gewinn

7.2dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

MS2554

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.2dB

Leistung - max

600W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

17.8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M218

Lieferantengerätepaket

M218

MS2211

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

48V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.3dB

Leistung - max

25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

900mA

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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