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MZ0912B100Y,114

MZ0912B100Y,114

Nur als Referenz

Teilenummer MZ0912B100Y,114
PNEDA Teilenummer MZ0912B100Y-114
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 6.426
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MZ0912B100Y Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMZ0912B100Y,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MZ0912B100Y, MZ0912B100Y Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 81,13 KB)
PDFMZ0912B100Y Datenblatt Cover
MZ0912B100Y Datenblatt Seite 2 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 3 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 4 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 5 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 6 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 7 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 8 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 9 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 10 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 11

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MZ0912B100Y Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.6dB
Leistung - max290W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-443A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MMBTH81_D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

3.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 50mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

MPSH10_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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SOT-23

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