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MZ0912B100Y,114

MZ0912B100Y,114

Nur als Referenz

Teilenummer MZ0912B100Y,114
PNEDA Teilenummer MZ0912B100Y-114
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 6.426
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MZ0912B100Y Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMZ0912B100Y,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MZ0912B100Y, MZ0912B100Y Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 81,13 KB)
PDFMZ0912B100Y Datenblatt Cover
MZ0912B100Y Datenblatt Seite 2 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 3 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 4 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 5 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 6 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 7 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 8 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 9 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 10 MZ0912B100Y Datenblatt Seite 11

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MZ0912B100Y Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.6dB
Leistung - max290W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)6A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-443A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

NE68133-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143

AT-31033-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

Gewinn

9dB ~ 11dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

MMBTH81_D87Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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