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BFG 196 E6327

BFG 196 E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFG 196 E6327
PNEDA Teilenummer BFG-196-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 5.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG 196 E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG 196 E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG 196 E6327, BFG 196 E6327 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 60,47 KB)
PDFBFG 196 E6327 Datenblatt Cover
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BFG 196 E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gewinn9dB ~ 14.5dB
Leistung - max800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 50mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketPG-SOT223-4

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

15W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.15dB ~ 8.7dB

Leistung - max

320W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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55ST-1

Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz

Gewinn

7dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

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-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

22W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.25A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

55LV

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