BFG 196 E6327
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| Teilenummer | BFG 196 E6327 |
| PNEDA Teilenummer | BFG-196-E6327 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT223-4 |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.598 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFG 196 E6327 Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFG 196 E6327 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFG 196 E6327 Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
| Gewinn | 9dB ~ 14.5dB |
| Leistung - max | 800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 70 @ 50mA, 8V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-4, TO-261AA |
| Lieferantengerätepaket | PG-SOT223-4 |
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Hersteller Maxim Integrated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 836MHz Gewinn 11.6dB Leistung - max 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.2A Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket 8-SOIC-EP |
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