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MAX2601ESA+

MAX2601ESA+

Nur als Referenz

Teilenummer MAX2601ESA+
PNEDA Teilenummer MAX2601ESA
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC
Hersteller Maxim Integrated
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Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MAX2601ESA+ Ressourcen

Marke Maxim Integrated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMAX2601ESA+
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MAX2601ESA+, MAX2601ESA+ Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 88,04 KB)
PDFMAX2602ESA-T Datenblatt Cover
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MAX2601ESA+ Technische Daten

HerstellerMaxim Integrated
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.3dB @ 836MHz
Gewinn11.6dB
Leistung - max6.4W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 250mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1.2A
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Lieferantengerätepaket8-SOIC-EP

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

22V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

6W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AU

Lieferantengerätepaket

55AU

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BFR360FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

15.5dB

Leistung - max

210mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 15mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-723

Lieferantengerätepaket

PG-TSFP-3

MT3S113(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.3V

Frequenz - Übergang

12.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

Gewinn

11.8dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

S-Mini

MRF8372MR1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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