MT3S113(TE85L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT3S113(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S113-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Mai 5 - Mai 10 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
MT3S113(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | MT3S113(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- MT3S113(TE85L,F) Datasheet
- where to find MT3S113(TE85L,F)
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113(TE85L,F)
- MT3S113(TE85L,F) PDF Datasheet
- MT3S113(TE85L,F) Stock
- MT3S113(TE85L,F) Pinout
- Datasheet MT3S113(TE85L,F)
- MT3S113(TE85L,F) Supplier
- Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
- MT3S113(TE85L,F) Price
- MT3S113(TE85L,F) Distributor
MT3S113(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.3V |
| Frequenz - Übergang | 12.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11.8dB |
| Leistung - max | 800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6.5V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Gewinn 15dB ~ 22dB Leistung - max 188mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.2db ~ 7dB Leistung - max 575W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW Lieferantengerätepaket 55AW |
Hersteller Panasonic Electronic Components Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.3dB @ 100MHz Gewinn 24dB Leistung - max 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 65 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-89, SOT-490 Lieferantengerätepaket SSMini3-F3-B |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 45mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 10mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket - |
