MT3S113(TE85L,F)
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| Teilenummer | MT3S113(TE85L,F) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S113-TE85L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.572 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT3S113(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT3S113(TE85L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT3S113(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5.3V |
| Frequenz - Übergang | 12.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.45dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11.8dB |
| Leistung - max | 800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.2db ~ 7dB Leistung - max 575W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55AW Lieferantengerätepaket 55AW |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14.5dB Leistung - max 330W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 10A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M177 Lieferantengerätepaket M177 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 65GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 21.5dB Leistung - max 185mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 50mA, 1.5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 16V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB Leistung - max 58W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall M122 Lieferantengerätepaket M122 |
