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START405TR

START405TR

Nur als Referenz

Teilenummer START405TR
PNEDA Teilenummer START405TR
Beschreibung RF TRANS NPN 4.5V SOT343
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.538
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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START405TR Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTART405TR
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
START405TR, START405TR Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 76,53 KB)
PDFSTART405TR Datenblatt Cover
START405TR Datenblatt Seite 2 START405TR Datenblatt Seite 3 START405TR Datenblatt Seite 4 START405TR Datenblatt Seite 5 START405TR Datenblatt Seite 6 START405TR Datenblatt Seite 7

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START405TR Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.5V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB @ 1.8GHz
Gewinn19dB
Leistung - max45mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 5mA, 4V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

AT-30533-BLKG

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

2N3866

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

AT-41532-TR2G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

MS2266

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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